EPA防静电技术要求
* 离子平衡：-35V< offset <+35V
*ANSI/ESD S20.20标准规定
*ANSI/ESD STM3.1标准规定
EPA防静电技术要求
* 离子平衡：-35V< offset <+35V
* ANSI/ESD S20.20标准规定
* ANSI/ESD STM3.1标准规定
EPA防静电技术要求
* 点对点电阻要求：<1.0×10^11Ω
* ANSI/ESD S20.20-2021标准规定
EPA防静电技术要求
* 穿戴状态下电阻要求：7.5×10^5 ~ 1×10^7Ω
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 点对点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^10Ω
* 系统电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω
* 磨擦电压：<100V
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 点对点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^10Ω
* 系统电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω
* 磨擦电压：<100V
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 点对点电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω
* 系统电阻要求：1×10^5 ~ 1×10^9Ω
* 磨擦电压：<100V
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 衰减时间要求：< 2秒
* 导静电型表面电阻率：< 1.0x10^5Ω/☐
* 静电耗散型表面电阻率： 1.0x10^5~1.0x10^11Ω/☐
* GJB 3007A-2009标准规定
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 衰减时间要求：< 2秒
* 参考IEC 61340-2-1规范
EPA防静电技术要求
* 系统电阻：1×10^5 ~ 1×10^9Ω
* SJ/T10694-2006标准规定
EPA防静电技术要求：
* 体积电阻：<3.5×107ohms
* ANSI-2006标准规定
EPA防静电技术要求
* 导电包装＜1.0×104ohms
* 耗散包装 ≥1.0×104ohms＜1.0×1011ohms
* 放电屏蔽 ≥1.0×104ohms＜1.0×1011ohms
EPA防静电技术要求
*地板对地电阻＜1.0×109 ohms
EPA防静电技术要求
*防静电笔两点电阻＜1.0×1011 ohms
*摩擦电压＜100V
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Tronovo/埃用，始于2006年，注册资本1000万，国家高新技术企业(2022)，科技型中小企业(2022)，累计已获取授权专利60多项。专注于静电控制领域，以“争做百年品牌企业”为愿景，为企业客户提供ESD业务解决方案，为需要静电控制、表面除尘的客户提供产品、技术和建议。我们通过可靠的产品开发和制造，以完美的产品，优异的性能，合理的价格以及快速的响应能力来满足您的各种要求。
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